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还在寻找能同时满足大容量与高速度的存储核心吗？MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能以高达100MHz的时钟频率迅猛处理数据，让您的设备实现疾速读写，轻松应对海量信息存储与实时访问的需求。

它为您带来的不仅是64G x 8的巨量存储空间，更有从2.7V到3.6V的宽电压适应能力，以及0°C至70°C的稳定工作范围，确保在各种严苛环境下都能持续高效运行。其表面贴装式的132-LBGA封装，让集成设计更加简便，助您快速提升产品性能与可靠性。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-LBGA
• MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。