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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B 零件图片(仅供参考)

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B 规格参数

您是否正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心?MT29E512G08CEHBBJ4-3:B正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片,拥有高达333MHz的运行频率,让您的设备能够以并联接口极速存取数据,显著提升系统响应效率,无论是加载复杂程序还是传输大型文件,都能让用户感受到前所未有的流畅。

它采用先进的132-VBGA封装,易于表面贴装集成,帮助您优化电路板空间。其宽电压(2.5V~3.6V)支持和0°C至70°C的工作温度范围,确保了在各种严苛环境下依然稳定运行,数据安全非易失。选择它,就是为您的工业控制、网络通信或高端消费电子设备注入了一颗强劲、可靠的“数据心脏”,让您的产品设计更具竞争力和市场吸引力。

  • 型号:MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29E512G08CEHBBJ4-3:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B 基本参数:

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