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还在为存储系统的性能瓶颈而烦恼吗？MT29E4T08CTHBBM5-3:B就是为您破局而生的利器。这颗来自美光科技的4Tb并行NAND闪存芯片，以其高达333MHz的时钟频率，为您带来疾风骤雨般的数据吞吐能力，让海量数据的写入和读取瞬间完成，彻底释放您系统的潜能。

它能让您轻松构建大容量、高性能的存储阵列，无论是用于加速服务器、升级存储设备还是强化工业控制系统，都能游刃有余。其稳定的非易失特性确保数据安全可靠，宽电压范围则提升了设计灵活性与能效。选择它，就是选择了一个高效、可靠的存储核心，让您的产品在速度和容量上都赢得先机。

• 型号:MT29E4T08CTHBBM5-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Tb
• 存储器组织:512G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29E4T08CTHBBM5-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。