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MT29E256G08CECCBH6-6:C 零件图片(仅供参考)

MT29E256G08CECCBH6-6:C
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MT29E256G08CECCBH6-6:C 规格参数

您是否在寻找一颗能扛起海量数据存储重任,同时保持高速稳定运行的核心芯片?MT29E256G08CECCBH6-6:C正是您的答案。这颗美光出品的256Gb NAND闪存,采用并联接口,时钟频率高达167MHz,能让您的设备实现快速的数据读写与处理,显著提升系统整体响应效率。

它能让您的工业主机、网络设备或高端消费电子轻松管理庞大的程序代码、用户数据与多媒体文件。宽电压(2.7V~3.6V)支持和0°C至70°C的工作温度范围,确保了它在各种复杂环境下的稳定表现。选择这颗芯片,就是为您的产品选择了一个经过验证、值得信赖的高性能存储基石。

  • 型号:MT29E256G08CECCBH6-6:C
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-VBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb
  • 存储器组织:32G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-VBGA
  • 供应商器件封装:152-VBGA(14x18)
  • MT29E256G08CECCBH6-6:C,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29E256G08CECCBH6-6:C 基本参数:

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