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还在寻找能同时满足大容量与高速度需求的存储核心吗？MT29E1T08CUCCBH8-6:C就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Tb并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备拥有“过目不忘”的本领与“迅如闪电”的反应。

它为您提供高达128GB的存储空间，轻松容纳海量数据；同时，167MHz的时钟频率配合并联接口，能大幅提升数据吞吐效率，让系统运行和文件存取快人一步。其2.7V~3.6V的宽电压设计和0°C~70°C的工作温度范围，更确保了在各种应用环境下的稳定与可靠，是提升产品性能与竞争力的理想之选。

• 型号:MT29E1T08CUCCBH8-6:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29E1T08CUCCBH8-6:C，Micron（美光）产品一站式供应商。