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MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT 零件图片(仅供参考)

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT
Micron 订单到达,马上发货

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT 规格参数

您正在寻找一颗能同时加速系统运行并承载海量数据的全能型存储芯片吗?MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT正是您的答案。它创新性地将4Gb移动LPDRAM和8Gb NAND闪存合二为一,让您的设备既能拥有高速的数据处理能力(高达200MHz),又能轻松存储大量固件、应用程序和用户数据。

这颗芯片采用先进的并联接口和低至1.7V的供电电压,专为追求高效能与低功耗的移动及嵌入式应用而生。它能帮助您简化电路设计,减少元件数量,从而显著提升系统可靠性并优化整体成本。选择它,就是选择了一个经过市场验证的、高性能的存储解决方案,让您的产品在竞争中脱颖而出。

  • 制造商产品型号:MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH RAM 8GBIT PAR 200MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:8Gb(512M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:-
  • MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT 基本参数:

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