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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR 零件图片(仅供参考)

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR 规格参数

您正在寻找一颗能同时担当“高速工作台”和“海量资料库”的存储核心吗?MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR正是为此而生。它将4Gb容量的NAND闪存与4Gb低功耗移动DRAM完美融合,通过并联接口和200MHz的高时钟频率,让您的设备能够轻松实现数据的快速读写与高效运算,彻底告别卡顿与等待。

这颗芯片采用先进的1.7V~1.95V低电压供电,在提供强劲性能的同时,显著优化系统功耗,直接助力延长终端设备的续航能力。其表面贴装的137-TFBGA紧凑封装,为您节省宝贵的电路板空间,让设计更灵活、产品更轻薄。无论是处理复杂的多任务,还是加载大型应用文件,它都能让您的产品体验流畅如飞,性能表现始终高效可靠。

  • 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:137-TFBGA
  • 供应商器件封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR 基本参数:

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