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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT 零件图片(仅供参考)

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT 规格参数

您正在寻找一颗能同时担当数据仓库和高速工作间的存储芯片吗?MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT正是您的理想之选。它创新性地将4Gb NAND闪存和4Gb移动LPDRAM合二为一,为您提供高达8Gb的复合存储空间,让您的设备既能海量存储固件、媒体文件,又能拥有高速内存来流畅运行复杂应用。

这颗芯片采用高效的并联接口,运行时钟高达200MHz,确保数据交换迅捷无比。其1.7V至1.95V的低电压供电和宽温工作特性,让您的产品即使在能耗敏感或环境多变的场景下,也能保持高效稳定的表现。选择它,就是选择了一个经过验证的、能显著简化设计并提升系统整体可靠性的高性能存储解决方案。

  • 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:137-TFBGA
  • 供应商器件封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT 基本参数:

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