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还在为嵌入式系统寻找一颗可靠的数据“记忆中枢”吗？MT28F400B3SG-8 B TR正是您理想的解决方案。这颗美光出品的4Mb并行NOR闪存芯片，能为您安全地存储至关重要的启动代码、系统固件或配置参数，其非易失特性确保断电后数据毫发无损，让您的设备每次开机都稳定如初。

它拥有80ns的高速访问能力，让处理器能够快速读取指令，显著提升系统响应效率。同时，3V~3.6V的宽电压支持和工业级温度范围，让它能轻松应对各种复杂的应用环境。无论是用作微控制器的程序存储器，还是设备的关键数据备份单元，它都能以出色的可靠性和性能，成为您产品设计中值得信赖的基石。

• 型号:MT28F400B3SG-8 B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:80ns
• 访问时间:80 ns
• 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• MT28F400B3SG-8 B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。