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MT28F008B3VG-9 TET TR 零件图片(仅供参考)

MT28F008B3VG-9 TET TR
Micron 订单到达,马上发货

MT28F008B3VG-9 TET TR 规格参数

还在寻找一颗能扛重任、稳定如山的核心存储芯片吗?MT28F008B3VG-9 TET TR就是您的答案。这颗美光出品的8Mb并行NOR闪存,专为需要高速、可靠执行代码和存储关键数据的嵌入式系统设计。它能让您的设备在-40°C到85°C的极端温度范围内稳定运行,90ns的快速访问时间确保系统响应迅捷,而3V~3.6V的宽电压支持则让您的电源设计更加游刃有余。

选择它,意味着您为产品选择了一份历经考验的可靠性。其经典的并行接口让与主控的连接变得简单高效,表面贴装的40-TFSOP封装则节省了宝贵的板卡空间。无论是工业控制、汽车电子还是通信设备,MT28F008B3VG-9 TET TR都能作为系统中最坚实的存储基石,让您专注于核心功能的创新,无需为数据存储的稳定性有丝毫担忧。

  • 制造商产品型号:MT28F008B3VG-9 TET TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb(1M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:90ns
  • 访问时间:90ns
  • 电压-供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:40-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • MT28F008B3VG-9 TET TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT28F008B3VG-9 TET TR 基本参数:

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