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您正在寻找一颗能扛住严苛环境挑战、为关键应用保驾护航的存储核心吗？MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR正是您理想的伙伴。这颗1Gb容量的并行NOR闪存，能让您的系统在-40°C到105°C的极端温度范围内稳定运行，轻松应对汽车、工业等场景的可靠性要求。

它为您提供高速的数据访问（105ns）与写入（60ns），确保实时系统响应迅捷；宽电压（2.7V-3.6V）设计则增强了供电适应性。无论是存储启动代码、实现就地执行（XIP），还是记录重要数据，它都能以卓越的非易失特性，守护您每一比特信息的绝对安全。

• 型号:MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:105 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。