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还在寻找一颗能扛起系统核心代码存储与高速执行重任的闪存芯片吗？M58WR064KT7AZB6E就是您的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR闪存，拥有高达66MHz的运行频率和仅70ns的快速访问时间，能让您的处理器毫无等待地读取指令与数据，极大提升系统响应速度和整体运行效率。

它采用可靠的1.7V~2V低电压供电，帮助您优化系统功耗；其宽广的-40°C ~ 85°C工业级工作温度范围，更能让您的产品从容应对严酷环境挑战，确保长期稳定运行。无论是用于存储关键启动代码、应用程序，还是作为数据缓存，它都能让您的设计更稳健、更高效。

• 型号:M58WR064KT7AZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58WR064KT7AZB6E，Micron（美光）产品一站式供应商。