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M58WR032KB70ZB6E 零件图片(仅供参考)

M58WR032KB70ZB6E
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M58WR032KB70ZB6E 规格参数

还在寻找一颗能扛起系统核心代码存储重任的“大脑”吗?M58WR032KB70ZB6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Mb并行NOR闪存,能以高达66MHz的速度与您的主控芯片畅快对话,70ns的极速访问时间,让您的系统告别等待,实现指令与数据的瞬间响应。

它能在1.7V至2V的低电压下稳定运行,帮助您有效降低整体功耗。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围,让它无惧严苛环境挑战,无论是炎热的车间还是寒冷的户外,都能确保您的重要数据固若金汤。选择它,就是为您的工业控制、汽车电子或网络设备注入一颗高效、可靠的心脏。

  • 型号:M58WR032KB70ZB6E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:56-VFBGA(7.7x9)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb
  • 存储器组织:2M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:56-VFBGA
  • 供应商器件封装:56-VFBGA(7.7x9)
  • M58WR032KB70ZB6E,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

M58WR032KB70ZB6E 基本参数:

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