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您正在设计需要快速启动和可靠数据存储的设备吗？M58LT256JST8ZA6E就是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存芯片，能成为您系统的“瞬时记忆库”，以高达52MHz的速度和85ns的快速访问时间，让您的处理器无需等待，即刻获取关键代码与数据，极大提升系统响应效率。

它能在-40°C到85°C的极端温度下稳定工作，确保您的工业控制、汽车电子或通信设备在任何环境中都可靠运行。1.7V~2V的低功耗设计，更让您轻松延长电池续航，打造更高效、更耐用的智能产品。选择M58LT256JST8ZA6E，就是为您的核心设计注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:M58LT256JST8ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:80-LBGA（10x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:80-LBGA
• 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
• M58LT256JST8ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。