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它更懂得为您精打细算。1.14V~1.3V的低电压核心，显著降低了系统整体功耗，特别适合电池供电的便携设备或对能效有高要求的应用。同时，其宽广的-30°C至85°C工作温度范围，确保了在工业、车载等复杂环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、冷静且坚韧的数据心脏。

• 型号:MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。