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还在为嵌入式系统寻找快速、可靠的代码存储方案吗？M58LT256JSB8ZA6F TR就是您的高效答案。这颗256Mb并行NOR闪存芯片，能以高达52MHz的速度运行，确保您的处理器能够快速读取并执行指令，显著提升系统响应效率。

它采用1.7V~2V低电压设计，功耗控制出色，同时具备-40°C至85°C的宽温工作范围，让您的设备即使在恶劣环境下也能稳定运行。无论是存储启动代码、操作系统还是关键应用程序，它都能提供坚实可靠的存储基础，让您的产品设计更从容、性能更卓越。

• 型号:M58LT256JSB8ZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:80-LBGA（10x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:80-LBGA
• 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
• M58LT256JSB8ZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。