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还在为嵌入式系统寻找一颗“又快又稳”的“记忆核心”吗？让M58LT128HST8ZA6E来担当重任！这颗美光出品的128Mb并行NOR闪存芯片，能以高达52MHz的速度与您的处理器高效对话，85ns的极速访问时间让数据读取毫无延迟，显著提升系统响应效率。

它专为 demanding 应用而生。1.7V~2V的低功耗设计帮助您优化能效，而宽广的-40°C至85°C工业级温度范围，则确保它在严酷环境下依然稳定工作，是工业控制、汽车电子、网络设备等对可靠性要求极高领域的理想选择。选择它，就是为您的产品注入一颗经久耐用的“强心脏”。

• 型号:M58LT128HST8ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:80-LBGA（10x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:80-LBGA
• 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
• M58LT128HST8ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。