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M58BW16FB4T3T TR 零件图片(仅供参考)

M58BW16FB4T3T TR
Micron 订单到达,马上发货

M58BW16FB4T3T TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的存储核心吗?M58BW16FB4T3T TR就是您的答案。这颗16Mb并行NOR闪存芯片,能为您安全存储最关键的系统启动代码、应用程序以及设备参数,确保即使在突然断电的情况下,所有重要数据也能完好无损,让您的设备每次都能从“记忆”中的精确位置快速苏醒。

它拥有45ns的高速访问性能,让主控芯片的读写操作流畅无阻,显著提升系统整体响应速度。宽至2.7V-3.6V的电压适应范围和-40°C到125°C的极端工作温度容忍度,意味着无论您的设备身处严寒户外还是高温机箱内部,它都能稳定工作,极大增强了产品的环境适应性和可靠性。选择它,就是为您的产品注入一颗经久耐用的“数据心脏”。

  • 制造商产品型号:M58BW16FB4T3T TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:16Mb(512K x 32)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:45ns
  • 访问时间:45ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:80-BQFP
  • M58BW16FB4T3T TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M58BW16FB4T3T TR 基本参数:

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