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还在为系统存储方案既要速度快又要功耗低而烦恼吗？M39L0R8090U3ZE6E为您带来一站式解决方案！它将高性能的NOR Flash和低功耗的Mobile LPDDR RAM集成于一颗133-VFBGA封装的芯片中，让您轻松实现代码的快速执行与数据的灵活交换，极大地简化了您的电路板设计。

这颗芯片能为您做什么？它让您的设备在1.7V~1.95V的低电压下高效运行，显著延长电池寿命；其70ns的快速访问时间和宽广的-40°C ~ 85°C工作温度范围，确保您的应用在各种严苛环境下都能响应迅捷、运行稳定。无论是工业控制还是便携医疗，选择它，就是为产品的核心存储找到了可靠且高效的强大引擎。

• 型号:M39L0R8090U3ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:133-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM
• 存储容量:256Mb，512Mb
• 存储器组织:16M x 16，32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:133-VFBGA
• 供应商器件封装:133-VFBGA（8x8）
• M39L0R8090U3ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。