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当您的设计需要一颗强大、可靠的数据存储基石时，MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR闪存芯片就是您的理想伙伴。它为您提供高达8Gb（1GB）的非易失存储空间，采用高效的16位并行接口，让您的系统能够快速、流畅地存取海量程序代码、用户数据或多媒体内容。

这颗芯片专为严苛环境打造，支持-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，并采用1.8V标准电压供电，在保证强劲性能的同时兼顾能效。其63-VFBGA紧凑封装和表面贴装形式，让您能够轻松实现高密度的PCB布局，高效节省产品内部空间。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或网络设备等应用，选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。