我们为全球各个行业提供Micron（美光） M29W800DT70ZE6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、坚若磐石的“记忆核心”吗？M29W800DT70ZE6E正是您期待的解决方案。这颗美光科技的8Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的极速访问时间，让您的系统指令获取与数据读写毫无延迟，显著提升整体响应效率。

它为您提供1M x 8或512K x 16的灵活存储组织，轻松适配不同位宽的系统总线。宽电压支持和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您的设备无论面对复杂的供电状况还是严苛的环境挑战，都能稳定运行。其紧凑的48-TFBGA封装，更让您高效利用PCB空间，简化设计流程。

• 型号:M29W800DT70ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W800DT70ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。