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还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、可靠性高的核心存储芯片吗？M29W400DB55ZE6F TR能完美担当此任。这颗4Mb并行NOR闪存，拥有55ns的快速访问时间，让您的系统读取关键代码或数据时高效流畅；其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）特性，更能轻松应对工业、汽车等严苛环境下的供电波动与温度挑战，确保数据存储坚如磐石。

它采用紧凑的48-TFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间。无论是用作系统的程序存储、参数配置还是数据记录，这颗芯片都能提供稳定可靠的非易失存储解决方案，让您的产品设计更简洁，性能更出众。

• 型号:M29W400DB55ZE6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
• M29W400DB55ZE6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。