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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、坚若磐石的“记忆大脑”吗？M29W400DB45ZE6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR闪存，能以高达45ns的极速访问时间，让您的处理器无需等待，瞬间读取指令与数据，极大提升系统响应效率与整体性能。

它为您提供灵活的组织结构（512K x 8位或256K x 16位），并拥有2.7V至3.6V的宽电压适应能力，让您的设计更从容。更值得一提的是，其坚固的工业级内核可抵御-40°C至85°C的温度挑战，确保在严苛环境下数据依然安全无误。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备项目，选择了一份高效、稳定且值得信赖的存储保障。

• 型号:M29W400DB45ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
• M29W400DB45ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。