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还在为嵌入式系统寻找一颗值得信赖的“记忆核心”吗？M29W256GH7AN6E就是您的高效答案。这颗256Mb容量的并行NOR闪存，能以70ns的极速让您的处理器访问关键代码与数据，显著提升系统启动与运行效率。

它为您提供灵活的组织方式（32M x 8或16M x 16），并能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，轻松适应各种供电环境。其坚固的非易失特性，确保数据在断电后依然安全，而-40°C到85°C的工业级温度范围，更让您的设备无惧严寒酷暑的挑战，可靠运行于各类严苛场景之中。

• 型号:M29W256GH7AN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W256GH7AN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。