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您是否在寻找一颗能扛起系统核心代码存储重任的“老兵”？M29W128GH70ZS6E正是这样一位久经沙场的可靠伙伴。它是一颗128Mb容量的并行NOR闪存，能为您提供非易失的、高速的代码存储解决方案，确保您的设备在断电后数据不丢失，并在上电瞬间快速响应。

这颗芯片能让您的设计轻松应对严苛环境。其70ns的快速访问与写入速度，显著提升系统执行效率；宽广的工作电压与工业级温度范围，则保障了在-40°C到85°C的各种应用场景下稳定运行。无论是需要即时启动的工业控制器，还是追求可靠性的汽车电子，它都能让您的产品核心高效、可靠地运转。

• 型号:M29W128GH70ZS6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W128GH70ZS6E，Micron（美光）产品一站式供应商。