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还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、可靠性高的代码存储方案吗？M29W010B70N6F TR就是您的理想之选。这颗由美光科技出品的1Mb并行NOR闪存，能以70ns的快速访问时间，让您的主控芯片高效读取程序或关键数据，显著提升系统响应速度。

它采用2.7V-3.6V宽电压设计，并能在-40°C至85°C的严苛温度范围内稳定工作，轻松应对工业、汽车等复杂环境挑战。其128K x 8的存储结构简单易用，表面贴装的32-TSOP封装更便于您的生产焊接，帮助您构建出既稳健又高效的核心存储单元。

• 型号:M29W010B70N6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:32-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Mb
• 存储器组织:128K x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:32-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:32-TSOP
• M29W010B70N6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。