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您正在寻找一颗能为关键应用提供坚实数据存储基础的闪存芯片吗？M29F800FT55M3F2 TR正是您需要的解决方案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存，拥有1M x 8或512K x 16的灵活组织方式，能以55ns的高速让您的系统快速存取代码与数据，极大提升运行效率。

它专为 demanding 环境而生，4.5V~5.5V的宽电压供电和-40°C至125°C的极端工作温度范围，让您的设备无论面对电源波动还是酷暑严寒，都能稳定运行，数据永固。其非易失特性确保断电后信息不丢失，44-SOIC封装则便于您集成到高密度的电路板设计中。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备选择了一份经久耐用的可靠性保障。

• 型号:M29F800FT55M3F2 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F800FT55M3F2 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。