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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT44K32M18RB-107E IT:B TR为您带来颠覆性的流畅体验。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，凭借933MHz的高时钟频率和仅8ns的快速访问时间，能轻松驾驭高速数据读写，让您的处理器无需等待，全力发挥。

它采用1.28V~1.42V低电压供电和168-TBGA小型化封装，在为您节省宝贵空间与功耗的同时，更以-40°C至95°C的工业级宽温范围，确保在各种极端环境下依然稳定如初。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或汽车电子应用，注入一颗高效、可靠的数据心脏。

• 型号:MT44K32M18RB-107E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-107E IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。