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您正在寻找一颗能扛重任、值得托付核心数据的闪存芯片吗？M29F800DB70M6E正是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR Flash，能以1M x 8或512K x 16的灵活组织方式，为您安全存储至关重要的启动代码、系统固件或应用参数，确保断电后信息毫发无损。

它具备70ns的高速访问与写入能力，让您的系统能够快速读取指令，高效响应。其4.5V至5.5V的宽电压供电范围和-40°C到85°C的工业级工作温度，意味着它能轻松适应从工厂车间到户外设备的各类严苛环境，保障设备在各种挑战下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠性承诺。

• 型号:M29F800DB70M6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F800DB70M6E，Micron（美光）产品一站式供应商。