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您正在为嵌入式系统寻找一颗坚实可靠的“记忆核心”吗？JS28F00AM29EWLA正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NOR闪存，能为您稳定存储至关重要的启动代码、系统固件或应用数据，确保设备每次开机都准确无误，让您的产品在工业控制、汽车电子、网络通信等领域表现始终如一。

它拥有110ns的高速访问性能，让数据读取和写入流畅迅捷，大幅提升系统响应效率。宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，则让您的设计能够轻松应对复杂的供电环境和严苛的工作条件，保障设备在各种极端场景下的稳定运行。选择它，就是为您的系统注入一份经久耐用的可靠性。

• 型号:JS28F00AM29EWLA
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:110ns
• 访问时间:110 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• JS28F00AM29EWLA，Micron（美光）产品一站式供应商。