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您正在设计需要快速启动和可靠代码存储的系统吗？JR28F064M29EWHB TR正是为您而来。这颗64Mb并行NOR闪存芯片，能以高达70ns的速度响应您的数据访问请求，让您的处理器无需等待，即刻执行关键指令，显著提升系统运行效率。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并承受-40°C到85°C的严苛温度考验，确保您的工业控制、汽车电子或网络设备在多变环境中依然可靠。其表面贴装的48-TSOP封装，让您的PCB设计更紧凑。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的存储性能与耐久性保障。

• 型号:JR28F064M29EWHB TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:8M x 8，4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• JR28F064M29EWHB TR，Micron（美光）产品一站式供应商。