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JR28F032M29EWTA 零件图片(仅供参考)

JR28F032M29EWTA
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JR28F032M29EWTA 规格参数

您正在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的核心存储芯片吗?JR28F032M29EWTA正是您理想的解决方案。这颗由美光科技出品的32Mb并行NOR闪存,能以高达70ns的极速访问时间,让您的系统瞬间读取关键指令与数据,大幅提升启动速度和运行效率。

它采用可靠的表面贴装封装(48-TFSOP),支持宽电压(2.7V~3.6V)供电,并能在-40°C至85°C的严苛温度范围内稳定工作。无论是4M x 8位还是2M x 16位的灵活配置,都能让您轻松适配各种高性能嵌入式设计,为工业控制、汽车电子及通信设备提供持久、高效的非易失存储支持。

  • 型号:JR28F032M29EWTA
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TSOP I
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb
  • 存储器组织:4M x 8,2M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I
  • JR28F032M29EWTA,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

JR28F032M29EWTA 基本参数:

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