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还在寻找一颗能兼顾高性能与低功耗的可靠内存芯片吗？EDB8164B4PT-1DAT-F-R就是您的理想答案。这颗美光科技的8Gb LPDDR2 SDRAM，拥有533MHz的高速时钟和并联接口，能为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，轻松应对复杂的多任务处理和实时数据交换，让您的系统运行如飞。

更令人心动的是，它专为严苛环境打造。其宽电压（1.14V~1.95V）与宽温（-40°C~105°C）特性，让您的产品无论是面对极寒的工业现场还是高温的车载应用，都能保持稳定高效的运行。这颗216-ball FBGA封装的芯片，以移动低功耗技术为核心，在提供海量存储空间的同时，显著优化系统整体能耗，助您打造出更具市场竞争力的耐用型终端产品。

• 型号:EDB8164B4PT-1DAT-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1DAT-F-R，Micron（美光）产品一站式供应商。