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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR 零件图片(仅供参考)

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR 规格参数

还在寻找那颗能让您的移动设备既快又省电的“心脏”吗?EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR就是您的理想答案。这颗美光512Mb移动LPDDR2 DRAM,凭借533MHz的高效时钟频率和灵活的电压支持,能显著提升系统响应速度与多任务处理能力,同时智能管理功耗,让您的产品续航更持久。

它采用先进的134-VFBGA紧凑封装,为您节省宝贵的板级空间,让设计更自由。其宽广的工业级温度适应性(-40°C ~ 125°C)确保了在严苛环境下的稳定运行,极大地提升了终端产品的可靠性与耐用性。选择它,就是选择了一个经过市场验证的高性能、高可靠性存储解决方案,让您轻松应对各种复杂应用挑战,高效推进项目落地。

  • 制造商产品型号:EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:512Mb(16M x 32)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:134-VFBGA
  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR 基本参数:

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