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EDB4432BBBJ-1D-F-D 零件图片(仅供参考)

EDB4432BBBJ-1D-F-D
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EDB4432BBBJ-1D-F-D 规格参数

您正在寻找一颗能同时赋予设备强劲动力与持久耐力的内存芯片吗?EDB4432BBBJ-1D-F-D正是为您而来。这颗4Gb容量的并行移动LPDDR2 DRAM,以高达533MHz的时钟频率,为您的高速应用铺平道路,让数据存取瞬间完成,彻底告别卡顿与等待。

它能在1.14V至1.95V的电压范围内高效运行,显著降低系统整体功耗,轻松延长电池续航。无论是应对严苛的-30°C低温还是85°C的高温环境,其稳定的表现都能让您的产品在各种场景下游刃有余。选择它,就是为您的移动设备选择了一个可靠、高效的能量核心。

  • 型号:EDB4432BBBJ-1D-F-D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-WFBGA
  • 供应商器件封装:134-FBGA(10x11.5)
  • EDB4432BBBJ-1D-F-D,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

EDB4432BBBJ-1D-F-D 基本参数:

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