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还在寻找一颗能兼顾速度、节能与坚固性的内存芯片吗？EDB4064B4PB-1DIT-F-R就是为您而来的解决方案。它搭载4Gb（64M x 64）大容量，配合533MHz的高速时钟，让您的设备在处理海量数据时也能疾速响应，彻底告别卡顿。其采用的移动LPDDR2技术和宽广的电压适应范围，旨在显著降低系统功耗，为您设计的便携式或电池供电设备赢得更持久的续航能力。

更重要的是，它生而坚韧。支持-40°C至85°C的宽温工作范围，让您的产品无惧严寒酷暑，无论是在工业现场、飞驰的汽车中还是户外严苛环境下，都能确保数据存取稳定可靠。这颗表面贴装的216-WFBGA封装芯片，以其紧凑的尺寸和成熟的并行接口，让您能更轻松地集成到空间受限的高性能设计中，快速实现产品升级与创新。

• 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
• EDB4064B4PB-1DIT-F-R，Micron（美光）产品一站式供应商。