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还在为嵌入式系统的内存性能与功耗难以兼得而烦恼吗？让EDB4064B4PB-1DIT-F-D为您提供完美解决方案。这颗美光4Gb移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度疾速响应，确保您的应用流畅无阻，同时其宽电压设计（1.14V~1.95V）让您轻松实现高性能与低功耗的绝佳平衡。

它专为要求严苛的场合而生，无论是面对-40°C的严寒还是85°C的高温，都能稳定工作，让您的工业控制、汽车电子或便携设备无惧环境挑战。其并联接口与紧凑的216-WFBGA封装，更能帮助您高效利用电路板空间，简化设计，加速产品落地进程。

• 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
• EDB4064B4PB-1DIT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。