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更令人心动的是，它能在1.14V至1.95V的宽电压范围内高效工作，结合其先进的工艺技术，显著降低系统整体功耗，让您的移动设备续航更持久。其216球WFBGA小型化封装和表面贴装设计，让您能轻松实现高密度PCB布局，为产品打造更轻薄、更紧凑的时尚外观。选择它，就是为您的项目选择了一份经过验证的可靠与高效。

• 型号:EDB4064B4PB-1D-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
• EDB4064B4PB-1D-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。