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您正在为您的下一代嵌入式设备寻找一颗既快速又可靠的核心存储芯片吗？RD48F4400P0VBQE4正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NOR闪存，能为您提供闪电般的代码读取速度，其100ns的访问时间和52MHz的时钟频率，确保您的处理器无需等待，即刻执行关键指令，极大提升系统整体响应效率。

它能在-40°C到85°C的极端温度范围内稳定工作，让您的设备无惧严寒酷暑的挑战。1.7V~2V的低电压需求，显著帮助您降低系统功耗，延长电池寿命。采用先进的88-TFBGA小型化封装，为您节省宝贵的电路板空间，让设计更紧凑。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备选择了一个坚实、高效的数据存储基石。

• 型号:RD48F4400P0VBQE4
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:88-SCSP（8x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 88SCSP
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:100ns
• 访问时间:100 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:88-TFBGA，CSPBGA
• 供应商器件封装:88-SCSP（8x11）
• RD48F4400P0VBQE4，Micron（美光）产品一站式供应商。