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还在寻找一颗能扛起数据存储重任、让系统运行更稳健的核心芯片吗？NAND256W3A2BZA6F TR正是您期待的答案。这颗256Mb（32M x 8）的并行NAND闪存，能以高达50ns的速度响应您的读写指令，让数据存取如行云流水般高效，彻底释放您系统的性能潜力。

它专为 demanding 应用而生。宽达2.7V至3.6V的供电范围与-40°C至85°C的工业级工作温度，让您轻松应对电源波动与严苛环境，无论是炽热还是严寒，数据始终安全稳固。其紧凑的55-TFBGA表面贴装封装，更能帮助您优化电路板空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的设备选择了一份经久耐用的可靠性承诺。

• 型号:NAND256W3A2BZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:55-VFBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:55-TFBGA
• 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
• NAND256W3A2BZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。