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还在寻找一颗能让您的嵌入式系统存储性能焕然一新的核心芯片吗？NAND256W3A2BNXE正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NAND闪存，拥有32M x 8的经典结构，能以高达50ns的极速访问时间，让您的系统数据读写效率倍增，彻底告别等待。

它采用2.7V至3.6V宽电压供电，并能在-40°C到85°C的严苛温度范围内稳定工作，无论是户外工业设备还是高性能消费电子，都能轻松应对。其并行接口和表面贴装设计，让您的电路板布局更高效，集成更便捷。选择它，就是选择了一个经过市场长期验证的可靠存储伙伴，让您的产品设计更稳健，性能更出众。

• 型号:NAND256W3A2BNXE
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• NAND256W3A2BNXE，Micron（美光）产品一站式供应商。