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还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗可靠的核心？NAND04GW3B2DN6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，能为您提供稳定、非易失的数据存储空间，让您的设备即使在断电后也能牢牢记住关键信息。

它拥有512M x 8的灵活组织架构和高达25ns的快速访问时间，让您的系统读写数据高效流畅。其2.7V~3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，更能轻松应对各种复杂供电与环境挑战，确保设备在严苛条件下依然稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND04GW3B2DN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND04GW3B2DN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。