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还在寻找一颗能扛得住复杂环境考验的可靠存储芯片吗？NAND01GW3B2CN6E正是为您而来！这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，核心使命就是为您的重要数据提供一个安全、高速且持久的‘家’。它拥有128M x 8的存储容量，能以高达25ns的速度响应您的读写指令，确保系统运行流畅无阻。

更令人安心的是，它具备工业级的强悍体质。宽达2.7V~3.6V的工作电压范围，让它在电源波动时依然稳定；-40°C至85°C的广阔工作温度，使其能从容应对从酷寒到炎热的极端环境挑战。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或车载设备选择了一份经久耐用的数据存储保障，让您的产品设计更稳健，性能更可靠。

• 型号:NAND01GW3B2CN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW3B2CN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。