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在追求设备性能极限的今天，您是否在寻找一颗能即刻提升系统响应速度与多任务处理能力的内存核心？MT8VDDT6464HY-335J1正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的512MB DDR SDRAM模块，以333MT/s的稳健速度，为您的高速计算需求提供充沛的数据带宽，让您的嵌入式系统或工业设备运行如行云流水般顺畅。

它采用业界通用的200针SODIMM封装，让您能轻松、快速地将其集成到空间受限的设计中，极大简化了硬件升级或新产品开发的流程。选择它，就是选择了一个久经考验、稳定可靠的内存基石，让您能专注于实现更复杂的应用功能，而无须为底层存储的性能与兼容性担忧。

• 型号:MT8VDDT6464HY-335J1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:
• 类目:存储卡，模块 > 存储器 - 模块
• 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 存储器类型:DDR SDRAM
• 存储容量:512MB
• 传输速率（Mb/s，MT/s，MHz）:333
• 封装/外壳:200-SODIMM
• MT8VDDT6464HY-335J1，Micron（美光）产品一站式供应商。