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您是否渴望为您的智能设备找到一颗既强大又可靠的“记忆大脑”？MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR正是这样一款专为严苛应用而生的高性能LPDDR4 DRAM。它拥有高达24Gb（768M x 32）的海量存储容量和1.866GHz的疾速时钟频率，能轻松应对ADAS、高性能计算、工业自动化等场景下的海量数据实时读写需求，让您的系统运行如飞。

这颗芯片采用先进的低功耗设计，核心电压仅需0.6V和1.1V，能显著降低系统整体能耗，同时其宽温工作范围（-30°C ~ 85°C）和符合AEC-Q100的汽车级品质，确保了在极端环境下的超强稳定性和长久耐用性。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与面向未来的卓越性能基石。

• 型号:MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。