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它更懂您的能效焦虑。采用先进的低功耗设计，工作电压低至0.6V/1.1V，在提供澎湃数据吞吐量的同时，大幅降低功耗，直接为您的设备赢得更持久的续航表现。其紧凑的200-WFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），让您能轻松将其集成到各种空间受限或环境严苛的设计中，确保稳定高效的运行。选择它，就是为您的产品选择了流畅体验与高效续航的双重保障。

• 型号:MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。