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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR 零件图片(仅供参考)

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR 规格参数

还在为设备的多任务处理能力而烦恼吗?MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR就是您期待的答案。这颗美光出品的12Gb移动LPDDR4 DRAM,以其2.133GHz的高频和宽位宽,为您提供澎湃的数据吞吐能力,轻松应对从高清视频处理到实时AI运算的各种苛刻需求。

它采用先进的低功耗设计,仅需0.6V和1.1V供电,在提供强劲性能的同时,显著延长了电池续航。其宽达-40°C至125°C的工作温度范围,确保了在车载、工业等复杂环境下的稳定运行。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠且面向未来的内存核心。

  • 制造商产品型号:MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb(384M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133GHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:0.6V,1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR 基本参数:

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