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还在为设备运行卡顿、多任务切换迟缓而烦恼吗？MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb LPDDR4移动内存，能以高达1.866GHz的速度疾速响应，让您的应用程序加载更快、游戏运行更流畅、高清视频播放毫无压力。

它采用先进的低功耗设计，仅需0.6V和1.1V供电，在提供强大数据吞吐能力的同时，显著优化系统能耗，轻松延长移动设备的电池续航时间。其表面贴装的200-WFBGA紧凑封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您打造出更轻薄、性能更强劲的终端产品。

• 型号:MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。