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还在为设备的多任务处理能力而烦恼吗？MT53E256M32D2DS-046 AIT:B就是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb LPDDR4移动DRAM，以其2.133GHz的高时钟频率和256M x 32的宽位架构，为您带来惊人的数据传输带宽。它能轻松驾驭高清视频编辑、大型游戏加载和复杂AI运算，让您的应用响应如闪电般迅捷。

更重要的是，它专为严苛环境而生。0.6V/1.1V的低电压设计显著优化了能效，而-40°C至95°C的宽温工作范围则确保了从酷寒到炎热的极端条件下依然稳定可靠。采用先进的200-WFBGA封装，它帮助您最大化节省宝贵的电路板空间，实现更轻薄、更紧凑的产品设计。选择它，就是为您的智能设备注入一颗强大而高效的心脏。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-046 AIT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。