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它能以极高的数据吞吐速度（典型速率可达4266Mbps）处理您的应用指令，让多任务运行、大型文件加载和复杂图形渲染都变得无比流畅迅速。同时，其先进的低功耗设计能显著降低系统整体能耗，轻松延长手机、平板、超薄笔记本等移动设备的电池使用时间，让用户享受更持久、更高效的使用体验。

采用可靠的FBGA封装和便捷的卷带包装，它确保了优异的稳定性和生产效率，是您打造下一代旗舰产品的理想选择。

• 型号:MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-TFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-TFBGA
• 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
• MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。